SK Hynix, một trong những nhà sản xuất chip nhớ DRAM hàng đầu thế giới, vừa thông báo bắt đầu sản xuất hàng loạt chip DRAM LPPDR5T thế hệ mới dành cho điện thoại thông minh. Chip nhớ mới này hứa hẹn mang lại hiệu suất đáng kể so với các thế hệ trước, với tốc độ truyền dữ liệu lên tới 9.600 MT/s và băng thông tối đa đạt 76,8 GB/s.
Chip LPPDR5T DRAM mới có thể hoạt động với điện áp VDD trong khoảng từ 1.01V đến 1.12V và điện áp VDDQ là 0.5V. Điện áp VDD cao hơn một chút so với tiêu chuẩn LPPDR5X, vốn nằm trong khoảng từ 1.00V đến 1.1V.
Một trong những lợi thế lớn nhất của việc sử dụng chip LPPDR5T DRAM trong điện thoại thông minh là tăng băng thông. Hiện tại, các chip này hoạt động ở tốc độ 9.600 MT/s và có băng thông tối đa là 76,8 GB/s, cao hơn 12,5% so với tiêu chuẩn LPPDR5X-8533, đạt mức tối đa là 68,2 GB/s.
SK Hynix cho biết họ đã hoàn thành xác minh hiệu suất với chipset Dimensity 9300 của MediaTek, vì vậy Snapdragon 8 Gen 4 của Qualcomm với lõi Oryon tùy chỉnh có thể được hỗ trợ cho công nghệ DRAM này.
© newsliver.com. All Rights Reserved.