UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology

UltraRAM là một công nghệ bộ nhớ mới đang được phát triển bởi QuInAs Technology, một công ty được tách ra từ Khoa Vật lý của Đại học Lancaster (Anh). UltraRAM được thiết kế để kết hợp các ưu điểm của bộ nhớ flash (không biến động) và bộ nhớ DRAM (tốc độ cao).

UltraRAM có thể lưu trữ dữ liệu ngay cả khi mất điện và có độ bền cao hơn ít nhất 4.000 lần so với NAND flash. Nó cũng có tốc độ truy cập thấp hơn 1/10 so với DRAM và hiệu năng năng lượng cao hơn 100 lần so với DRAM được sản xuất trên cùng quy trình.

QuInAs Technology đã phát triển và tinh chỉnh UltraRAM trong nhiều năm và gần đây đã đạt được những tiến bộ đáng kể về mặt công nghệ và kinh doanh. Về công nghệ, công ty đã phát triển các thiết bị UltraRAM với các tính năng nhỏ đến 20nm. Về kinh doanh, công ty đã giành được giải thưởng "Công ty khởi nghiệp về bộ nhớ flash sáng tạo nhất" tại Hội nghị thượng đỉnh bộ nhớ flash và nhận được khoản tài trợ đáng kể từ Innovate UK.

Với nguồn tài trợ này, QuInAs Technology sẽ tiếp tục thử nghiệm các thiết bị UltraRAM quy mô nanomet để chứng minh thêm các tuyên bố về hiệu năng, hiệu quả và độ bền. Công ty cũng sẽ hợp tác với các nhà đầu tư và hướng tới sản xuất quy mô nhỏ.

QuInAs Technology dự kiến sẽ tung ra các sản phẩm UltraRAM thương mại đầu tiên trong vòng 1 năm. Các thị trường mục tiêu ban đầu có thể là các phân khúc bộ nhớ cao cấp, chẳng hạn như bộ nhớ cho trung tâm dữ liệu và máy tính hiệu năng cao.

Nhìn chung, UltraRAM là một công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng với khả năng thay đổi thị trường bộ nhớ toàn cầu. QuInAs Technology đang có những bước tiến vững chắc trong việc phát triển và thương mại hóa UltraRAM.