Intel Bứt Phá Công Nghệ Transistor, Mở Đường Cho Chip Tương Lai

Intel vừa công bố loạt đột phá công nghệ transistor 2D sử dụng vật liệu vượt trội silicon, kết nối chip và công nghệ đóng gói. Những thành tựu này sẽ được trình bày tại hội nghị IEDM 2024 thông qua 7 bài báo của Intel và 2 bài báo hợp tác với các đối tác ngành như IMEC.
**1. Thu nhỏ Transistor đến cấp độ nguyên tử:**
Intel đã cải tiến đáng kể công nghệ transistor GAA (Gate-All-Around) trên cả Silicon và vật liệu 2D siêu mỏng. Với Silicon, Intel đạt được chiều dài gate chỉ 6nm và độ dày nanoribbon 1.7nm, cải thiện hiệu suất và khắc phục hiện tượng ngắn mạch. Với vật liệu 2D, Intel sử dụng dichalcogenide kim loại chuyển tiếp (TMD) tạo ra transistor Nmos và Pmos với chiều dài gate 30nm, đạt được dòng điện Nmos tốt nhất hiện nay, gấp đôi so với các kết quả công bố trước đây.
**2. Cách mạng Kết nối Chip với Ruthenium:**
Khó khăn lớn trong việc thu nhỏ kích thước chip nằm ở việc thu nhỏ dây dẫn (interconnect). Intel đã giải quyết vấn đề này bằng công nghệ Ruthenium thay thế đồng, kết hợp với khoảng trống không khí (air gaps), giảm điện dung tới 25% ở mức điện trở tương đương. Công nghệ này tương thích với sản xuất hàng loạt, sử dụng hiệu quả và tiết kiệm chi phí.
**3. Đóng gói Chip Tốc độ Cao với Selective Layer Transfer (SLT):**
Công nghệ SLT mới của Intel giúp tăng tốc độ lắp ráp chip lên 100 lần. SLT cho phép kết nối toàn bộ wafer chip với wafer khác một cách nhanh chóng và chính xác, mở ra khả năng sử dụng các chiplet siêu mỏng, linh hoạt hơn và kích thước nhỏ hơn.
**4. Tương lai của đóng gói chip:** Intel cũng tiết lộ EMIB-T (EMIB-TSV), một phiên bản mới của công nghệ EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge) sử dụng TSV (Through-Silicon Vias) để truyền tín hiệu, tăng hiệu suất và giảm độ trễ.
Tất cả những đột phá này hứa hẹn sẽ dẫn đến sự ra đời của các chip mạnh mẽ hơn, nhỏ gọn hơn và tiết kiệm năng lượng hơn trong tương lai. Intel dự kiến sẽ chia sẻ thêm thông tin chi tiết tại IEDM 2024.