Samsung Galaxy S25 Ultra: Snapdragon 8 Elite “khủng” nhưng điểm benchmark gây thất vọng?

Tin đồn cho thấy Samsung gặp khó khăn trong việc nâng cao hiệu suất sản xuất chip 3nm GAA, dẫn đến Galaxy S25 series sẽ chỉ trang bị chip Snapdragon 8 Elite của Qualcomm. Dù vậy, Samsung vẫn hứa hẹn một Galaxy S25 Ultra mạnh mẽ với chip Snapdragon 8 Elite được ép xung, đạt tốc độ lên tới 4.47 GHz cho lõi hiệu năng.
Tuy nhiên, kết quả benchmark Geekbench 6 mới đây lại gây bất ngờ. Mặc dù xung nhịp cao hơn so với phiên bản tiêu chuẩn (4.32 GHz), điểm số đa nhân của Galaxy S25 Ultra lại không vượt quá 10.000 điểm, thấp hơn cả thiết kế tham chiếu sử dụng cùng chipset này. Điều này đặt ra câu hỏi về sự tối ưu hóa hiệu năng của Samsung.
Về cấu hình RAM, Galaxy S25 Ultra được đồn đoán sẽ có phiên bản tiêu chuẩn 12GB RAM, và phiên bản cao cấp hơn với 16GB RAM. Việc Samsung "khiêm tốn" với con số 12GB RAM cho phiên bản tiêu chuẩn có thể là một phần nỗ lực để cân bằng hiệu năng và thời lượng pin 5000mAh, vốn được cho là không thay đổi so với thế hệ trước.
Liệu việc ép xung Snapdragon 8 Elite có thực sự mang lại hiệu quả như mong đợi hay chỉ là "con dao hai lưỡi"? Kết quả benchmark hiện tại chưa thể phản ánh toàn bộ sức mạnh của Galaxy S25 Ultra. Hãy cùng chờ xem các bài đánh giá chi tiết hơn trong thời gian tới để có cái nhìn chính xác hơn về siêu phẩm này của Samsung.