Trung Quốc Đột Phá: Tạo Ra Transistor 2D Hiệu Suất Vượt Trội

Các nhà khoa học Đại học Bắc Kinh vừa công bố một phát minh chấn động: transistor GAAFET hai chiều, sử dụng vật liệu mới và tiết kiệm năng lượng. Đây là loại transistor đầu tiên trên thế giới có cấu trúc độc đáo như vậy. Nhóm nghiên cứu khẳng định, transistor mới của họ hoạt động nhanh hơn và hiệu quả hơn so với các sản phẩm hiện có của Intel, TSMC và Samsung trong các điều kiện thử nghiệm tương đương. Vậy GAAFET là gì? Đó là viết tắt của "Gate-All-Around Field-Effect Transistor", một bước tiến lớn so với các loại transistor trước đây. Điểm khác biệt nằm ở cấu trúc: GAAFET bao quanh nguồn điện bằng cổng, giúp kiểm soát dòng điện tốt hơn. Điều làm nên sự đột phá của Đại học Bắc Kinh chính là việc sử dụng vật liệu bismuth oxyselenide (Bi2O2Se) thay vì silicon truyền thống. Bi2O2Se là chất bán dẫn hai chiều, linh hoạt và bền hơn ở kích thước siêu nhỏ, mở ra khả năng tạo ra các chip nhỏ hơn và mạnh mẽ hơn. Phát minh này có ý nghĩa to lớn đối với ngành công nghiệp bán dẫn Trung Quốc. Trong bối cảnh căng thẳng thương mại với Mỹ, Trung Quốc đang nỗ lực tự chủ hơn về công nghệ. Transistor 2D GAAFET là một bước tiến quan trọng, giúp Trung Quốc cạnh tranh sòng phẳng với các cường quốc công nghệ khác. Tuy vẫn còn nhiều thách thức phía trước, nghiên cứu này cho thấy tiềm năng to lớn của các nhà khoa học trẻ Trung Quốc trong việc đổi mới và thúc đẩy ngành công nghiệp bán dẫn toàn cầu.