Các nhà nghiên cứu từ Viện Khoa học Trung Quốc (CAS) vừa công bố một thành tựu "đột phá": tạo ra một laser DUV (tia cực tím sâu) bán dẫn, có khả năng phát ra ánh sáng 193nm, một bước sóng quan trọng trong công nghệ quang khắc để sản xuất chip. Công nghệ này, nếu được phát triển và mở rộng, có thể thay thế các hệ thống laser hiện tại, vốn sử dụng khí Argon Fluoride (ArF) cồng kềnh và phức tạp. Các hệ thống laser ArF đang được các hãng như ASML, Canon và Nikon sử dụng trong các máy quang khắc DUV hiện đại. Hệ thống của CAS sử dụng tinh thể Yb:YAG để tạo ra tia laser 1030nm. Tia này sau đó được chia thành hai đường. Một đường được chuyển đổi thành tia 258nm, đường còn lại thành tia 1553nm. Hai tia này được kết hợp để tạo ra ánh sáng 193nm. Tuy nhiên, hệ thống hiện tại của CAS vẫn còn ở giai đoạn thử nghiệm. Công suất của nó chỉ đạt 70mW, thấp hơn nhiều so với công suất 100-120W của các hệ thống laser ArF thương mại. Mặc dù vậy, độ tinh khiết quang phổ của hệ thống CAS tương đương với các hệ thống hiện tại. Để công nghệ này có thể được ứng dụng trong sản xuất chip thực tế, cần phải có nhiều cải tiến và nâng cấp để tăng công suất và đảm bảo tính ổn định. Dù vậy, đây là một bước tiến đáng chú ý trong việc phát triển các nguồn sáng mới cho ngành công nghiệp bán dẫn.
© newsliver.com. All Rights Reserved.