Samsung Đẩy Mạnh Phát Triển Công Nghệ V-NAND Thế Hệ Thứ 9 Với Hơn 300 Lớp

Là nhà cung cấp bộ nhớ NAND lớn nhất thế giới, Samsung có những kế hoạch lớn cho sự phát triển của công nghệ V-NAND (công nghệ 3D NAND của công ty) và đã chia sẻ một số thông tin trong tuần này. Công ty xác nhận rằng họ đang trên đà sản xuất bộ nhớ V-NAND thế hệ thứ 9 với hơn 300 lớp vào năm 2024 và cho biết rằng nó sẽ có số lớp hoạt động cao nhất trong ngành.

Jung-bae Lee, Chủ tịch kiêm Giám đốc Kinh doanh Bộ nhớ tại Samsung Electronics, đã viết trong một bài đăng trên blog: "V-NAND thế hệ thứ chín đang được tiến hành tốt để sản xuất hàng loạt vào đầu năm sau với số lớp cao nhất trong ngành dựa trên cấu trúc xếp chồng kép."

Vào tháng 8, chúng ta đã biết rằng Samsung đang nghiên cứu V-NAND thế hệ thứ 9 với hơn 300 lớp, công nghệ này sẽ giữ lại công nghệ xếp chồng kép lần đầu tiên được Samsung áp dụng vào năm 2020. Samsung không chỉ xác nhận rằng họ đang đi đúng hướng với bộ nhớ không bay hơi thế hệ tiếp theo của mình mà còn cho biết rằng nó sẽ có nhiều lớp hoạt động hơn so với bộ nhớ 3D NAND của các đối thủ cạnh tranh. Cho đến nay, chúng ta biết rằng 3D NAND thế hệ tiếp theo của SK Hynix sẽ có 321 lớp hoạt động, vì vậy có vẻ như Samsung kỳ vọng bộ nhớ của mình sẽ có nhiều hơn.

Số lượng lớp tăng lên sẽ cho phép Samsung tăng mật độ lưu trữ của các thiết bị 3D NAND của mình. Công ty kỳ vọng các loại bộ nhớ flash sắp tới không chỉ tăng mật độ lưu trữ mà còn cả hiệu suất.

Jung-bae Lee cho biết: "Samsung cũng đang nghiên cứu thế hệ tiếp theo của các công nghệ tạo ra giá trị, bao gồm một cấu trúc mới giúp tối đa hóa tốc độ đầu vào/đầu ra (I/O) của V-NAND."

Chúng ta không biết những gì có thể mong đợi từ V-NAND thế hệ thứ 9 của Samsung về hiệu suất, mặc dù chúng ta chắc chắn rằng công ty sẽ sử dụng bộ nhớ này cho các ổ SSD sắp tới của mình. Có lẽ đây là lúc chúng ta sẽ thấy các ổ SSD bán lẻ của công ty có giao diện PCIe Gen5 - những sản phẩm kế thừa cho dòng 990 Pro của Samsung, hiện là một trong những ổ SSD tốt nhất.

Về đổi mới công nghệ dài hạn, Samsung cam kết giảm thiểu nhiễu tế bào, giảm chiều cao và tối đa hóa số lớp dọc, điều này sẽ cho phép công ty đạt được kích thước tế bào nhỏ nhất trong ngành. Những đổi mới này sẽ là công cụ thúc đẩy tầm nhìn của Samsung về việc tạo ra 3D NAND với hơn 1000 lớp cũng như các giải pháp bộ nhớ có tính khác biệt cao và đảm bảo rằng các sản phẩm của công ty vẫn phù hợp cho các trung tâm dữ liệu, máy tính cá nhân và các ứng dụng khác.