Samsung giới thiệu công nghệ bộ nhớ thế hệ mới tại Memory Tech Day 2023

Samsung đã chính thức giới thiệu các công nghệ bộ nhớ thế hệ mới của mình bao gồm HBM3E, GDDR7, LPDDR5X CAMM2, và nhiều hơn nữa tại sự kiện Memory Tech Day 2023.

Điểm nhấn lớn nhất của sự kiện là Samsung HBM3E DRAM, được đặt tên là Shinebolt. Shinebolt sẽ cung cấp năng lượng cho các ứng dụng AI thế hệ tiếp theo, cải thiện tổng chi phí sở hữu (TCO) và tăng tốc độ đào tạo và suy luận mô hình AI trong trung tâm dữ liệu.

HBM3E có tốc độ ấn tượng 9,8 gigabit / giây (Gbps) mỗi tốc độ pin, có nghĩa là nó có thể đạt được tốc độ truyền vượt quá 1,2 terabyte / giây (Tbps). Để cho phép xếp chồng nhiều lớp hơn và cải thiện đặc tính nhiệt, Samsung đã tối ưu hóa công nghệ màng không dẫn điện (NCF) của mình để loại bỏ khoảng trống giữa các lớp chip và tối đa hóa độ dẫn nhiệt.

Các sản phẩm nổi bật khác tại sự kiện bao gồm DDR5 DRAM 32GB với dung lượng cao nhất trong ngành, GDDR7 32Gbps đầu tiên trong ngành và SSD PBscale, mang đến sự cải thiện đáng kể cho khả năng lưu trữ cho các ứng dụng máy chủ.

Bộ nhớ GDDR7 sẽ cung cấp hiệu suất tăng 40% và cải thiện hiệu suất năng lượng 20% so với DRAM GDDR6 24 Gbps nhanh nhất hiện tại, cung cấp dung lượng lên đến 16 GB.

Bộ nhớ GDDR7 cũng sẽ cung cấp hiệu suất cao hơn 20% và đó là điều tuyệt vời khi bộ nhớ tiêu thụ một lượng điện năng khổng lồ cho các GPU cao cấp.

Để xử lý các tác vụ đòi hỏi nhiều dữ liệu, các công nghệ AI ngày nay đang hướng tới một mô hình kết hợp phân bổ và phân phối khối lượng công việc giữa các thiết bị đám mây và thiết bị biên. Theo đó, Samsung đã giới thiệu một loạt các giải pháp bộ nhớ hỗ trợ hiệu suất cao, dung lượng lớn, tiêu thụ điện năng thấp và kiểu dáng nhỏ gọn ở biên.

Ngoài LPDDR5X CAMM2 7,5Gbps đầu tiên trong ngành, công ty cũng giới thiệu DRAM LPDDR5X 9,6Gbps, DRAM LLW chuyên dụng cho AI trên thiết bị, bộ nhớ flash phổ dụng (UFS) thế hệ tiếp theo và SSD QLC dung lượng cao BM9C1 cho PC.