TSMC N2: Cuộc Cách Mạng 2nm - Tốc Độ Khủng, Tiết Kiệm Năng Lượng Ngoạn Mục!

TSMC vừa công bố chi tiết về quy trình sản xuất N2 (2nm) đột phá tại hội nghị IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)! Công nghệ này hứa hẹn giảm tiêu thụ điện năng từ 24% đến 35% hoặc tăng hiệu năng 15% ở cùng điện áp, cùng với mật độ bóng bán dẫn cao hơn 115% so với thế hệ 3nm trước đó.

SK hynix tung ra DRAM LPDDR5T siêu tốc độ, mở ra kỷ nguyên mới cho hiệu suất điện thoại thông minh

SK hynix, một trong những nhà cung cấp chất bán dẫn và DRAM hàng đầu thế giới, vừa chính thức giới thiệu LPDDR5T, thế hệ DRAM di động mới nhất với tốc độ truyền dữ liệu lên tới 9.6 gigabits mỗi giây trên mỗi chân, vượt trội so với 8.5 gigabits mỗi giây trên mỗi chân của LPDDR5X. Điều này đánh dấu một bước tiến vượt bậc trong hiệu suất bộ nhớ điện thoại thông minh, cho phép các thiết bị xử lý dữ liệu nhanh hơn, mượt mà hơn và hỗ trợ các ứng dụng AI đòi hỏi khắt khe hơn.

TSMC N2: Cuộc Cách Mạng 2nm - Tốc Độ Khủng, Tiết Kiệm Năng Lượng Ngoạn Mục!

TSMC vừa công bố chi tiết về quy trình sản xuất N2 (2nm) đột phá tại hội nghị IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)! Công nghệ này hứa hẹn giảm tiêu thụ điện năng từ 24% đến 35% hoặc tăng hiệu năng 15% ở cùng điện áp, cùng với mật độ bóng bán dẫn cao hơn 115% so với thế hệ 3nm trước đó.

SK hynix tung ra DRAM LPDDR5T siêu tốc độ, mở ra kỷ nguyên mới cho hiệu suất điện thoại thông minh

SK hynix, một trong những nhà cung cấp chất bán dẫn và DRAM hàng đầu thế giới, vừa chính thức giới thiệu LPDDR5T, thế hệ DRAM di động mới nhất với tốc độ truyền dữ liệu lên tới 9.6 gigabits mỗi giây trên mỗi chân, vượt trội so với 8.5 gigabits mỗi giây trên mỗi chân của LPDDR5X. Điều này đánh dấu một bước tiến vượt bậc trong hiệu suất bộ nhớ điện thoại thông minh, cho phép các thiết bị xử lý dữ liệu nhanh hơn, mượt mà hơn và hỗ trợ các ứng dụng AI đòi hỏi khắt khe hơn.