Micron chính thức tăng giá bộ nhớ, dự báo đắt đỏ đến năm 2026

Micron vừa xác nhận kế hoạch tăng giá bộ nhớ, lý do là nhu cầu DRAM và NAND Flash đang tăng mạnh trong những năm tới. Hãng dự báo giá sẽ tiếp tục leo thang trong năm 2025 và 2026 do nguồn cung hạn chế, trong khi nhu cầu từ các lĩnh vực như trí tuệ nhân tạo (AI), trung tâm dữ liệu và điện tử tiêu dùng ngày càng lớn.

NVIDIA hé lộ tương lai GPU: Blackwell Ultra, Rubin và "cú nhấp chuột" bí ẩn phía sau!

NVIDIA đang rục rịch mang đến những đột phá mới cho thế giới GPU, đặc biệt là trong lĩnh vực trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu năng cao. Dù gặp một chút trục trặc nhỏ với thiết kế ban đầu của GPU Blackwell cho trung tâm dữ liệu năm ngoái, NVIDIA vẫn đang tăng tốc cho ra mắt những sản phẩm mạnh mẽ hơn.

OpenAI Thiết Kế Chip AI Riêng, Thách Thức NVIDIA

OpenAI đang ráo riết hoàn thiện thiết kế chip AI riêng và dự kiến giao cho TSMC sản xuất hàng loạt vào năm 2026. Bước đi này cho thấy OpenAI không muốn tụt hậu so với các đối thủ lớn như Google, Meta và Microsoft trong cuộc đua giảm chi phí vận hành AI.

Micron Cách Mạng Bộ Nhớ HBM: HBM4e Tùy Chỉnh Đột Phá Công Nghệ!

Micron vừa công bố thông tin cập nhật cực kỳ ấn tượng về chương trình HBM4 và HBM4e của mình, hứa hẹn một cuộc cách mạng trong lĩnh vực bộ nhớ. HBM4 thế hệ tiếp theo, với giao diện 2048-bit, dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào năm 2026. Nhưng điểm nhấn thực sự nằm ở HBM4e!

Samsung dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung đã tiết lộ rằng họ dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025. Bộ nhớ mới sẽ có giao diện 2048-bit trên mỗi ngăn xếp, gấp đôi so với 1024-bit của HBM3.

Samsung Electronics công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung Electronics đã công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025, nhằm đa dạng hóa dịch vụ sản xuất để đáp ứng nhu cầu của ngành. Sang Joon Hwang, giám đốc nhóm sản phẩm và công nghệ DRAM tại Samsung Electronics, đã tiết lộ sự phát triển này trong một bài đăng trên blog tại phòng tin tức của Samsung, cho biết rằng công ty có kế hoạch nâng cao bộ phận nhớ của mình.

HBM4: Tăng gấp đôi băng thông với giao diện 2048 bit

Bộ nhớ băng thông cao (HBM) đã đi một chặng đường dài trong vòng chưa đầy 10 năm có mặt trên thị trường. Nó đã tăng đáng kể tốc độ truyền dữ liệu của mình, tăng dung lượng theo cấp số nhân và đạt được vô số tính năng. Có một thay đổi lớn khác sắp xảy ra và lần này sẽ rất lớn: các stack bộ nhớ HBM thế hệ tiếp theo sẽ có giao diện bộ nhớ 2048 bit, theo báo cáo của DigiTimes trích dẫn Seoul Economy.

Micron chính thức tăng giá bộ nhớ, dự báo đắt đỏ đến năm 2026

Micron vừa xác nhận kế hoạch tăng giá bộ nhớ, lý do là nhu cầu DRAM và NAND Flash đang tăng mạnh trong những năm tới. Hãng dự báo giá sẽ tiếp tục leo thang trong năm 2025 và 2026 do nguồn cung hạn chế, trong khi nhu cầu từ các lĩnh vực như trí tuệ nhân tạo (AI), trung tâm dữ liệu và điện tử tiêu dùng ngày càng lớn.

NVIDIA hé lộ tương lai GPU: Blackwell Ultra, Rubin và "cú nhấp chuột" bí ẩn phía sau!

NVIDIA đang rục rịch mang đến những đột phá mới cho thế giới GPU, đặc biệt là trong lĩnh vực trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu năng cao. Dù gặp một chút trục trặc nhỏ với thiết kế ban đầu của GPU Blackwell cho trung tâm dữ liệu năm ngoái, NVIDIA vẫn đang tăng tốc cho ra mắt những sản phẩm mạnh mẽ hơn.

OpenAI Thiết Kế Chip AI Riêng, Thách Thức NVIDIA

OpenAI đang ráo riết hoàn thiện thiết kế chip AI riêng và dự kiến giao cho TSMC sản xuất hàng loạt vào năm 2026. Bước đi này cho thấy OpenAI không muốn tụt hậu so với các đối thủ lớn như Google, Meta và Microsoft trong cuộc đua giảm chi phí vận hành AI.

Micron Cách Mạng Bộ Nhớ HBM: HBM4e Tùy Chỉnh Đột Phá Công Nghệ!

Micron vừa công bố thông tin cập nhật cực kỳ ấn tượng về chương trình HBM4 và HBM4e của mình, hứa hẹn một cuộc cách mạng trong lĩnh vực bộ nhớ. HBM4 thế hệ tiếp theo, với giao diện 2048-bit, dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào năm 2026. Nhưng điểm nhấn thực sự nằm ở HBM4e!

Samsung dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung đã tiết lộ rằng họ dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025. Bộ nhớ mới sẽ có giao diện 2048-bit trên mỗi ngăn xếp, gấp đôi so với 1024-bit của HBM3.

Samsung Electronics công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung Electronics đã công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025, nhằm đa dạng hóa dịch vụ sản xuất để đáp ứng nhu cầu của ngành. Sang Joon Hwang, giám đốc nhóm sản phẩm và công nghệ DRAM tại Samsung Electronics, đã tiết lộ sự phát triển này trong một bài đăng trên blog tại phòng tin tức của Samsung, cho biết rằng công ty có kế hoạch nâng cao bộ phận nhớ của mình.

HBM4: Tăng gấp đôi băng thông với giao diện 2048 bit

Bộ nhớ băng thông cao (HBM) đã đi một chặng đường dài trong vòng chưa đầy 10 năm có mặt trên thị trường. Nó đã tăng đáng kể tốc độ truyền dữ liệu của mình, tăng dung lượng theo cấp số nhân và đạt được vô số tính năng. Có một thay đổi lớn khác sắp xảy ra và lần này sẽ rất lớn: các stack bộ nhớ HBM thế hệ tiếp theo sẽ có giao diện bộ nhớ 2048 bit, theo báo cáo của DigiTimes trích dẫn Seoul Economy.