Micron Cách Mạng Bộ Nhớ HBM: HBM4e Tùy Chỉnh Đột Phá Công Nghệ!

Micron vừa công bố thông tin cập nhật cực kỳ ấn tượng về chương trình HBM4 và HBM4e của mình, hứa hẹn một cuộc cách mạng trong lĩnh vực bộ nhớ. HBM4 thế hệ tiếp theo, với giao diện 2048-bit, dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào năm 2026. Nhưng điểm nhấn thực sự nằm ở HBM4e!

Samsung dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung đã tiết lộ rằng họ dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025. Bộ nhớ mới sẽ có giao diện 2048-bit trên mỗi ngăn xếp, gấp đôi so với 1024-bit của HBM3.

Samsung Electronics công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung Electronics đã công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025, nhằm đa dạng hóa dịch vụ sản xuất để đáp ứng nhu cầu của ngành. Sang Joon Hwang, giám đốc nhóm sản phẩm và công nghệ DRAM tại Samsung Electronics, đã tiết lộ sự phát triển này trong một bài đăng trên blog tại phòng tin tức của Samsung, cho biết rằng công ty có kế hoạch nâng cao bộ phận nhớ của mình.

HBM4: Tăng gấp đôi băng thông với giao diện 2048 bit

Bộ nhớ băng thông cao (HBM) đã đi một chặng đường dài trong vòng chưa đầy 10 năm có mặt trên thị trường. Nó đã tăng đáng kể tốc độ truyền dữ liệu của mình, tăng dung lượng theo cấp số nhân và đạt được vô số tính năng. Có một thay đổi lớn khác sắp xảy ra và lần này sẽ rất lớn: các stack bộ nhớ HBM thế hệ tiếp theo sẽ có giao diện bộ nhớ 2048 bit, theo báo cáo của DigiTimes trích dẫn Seoul Economy.

Micron Cách Mạng Bộ Nhớ HBM: HBM4e Tùy Chỉnh Đột Phá Công Nghệ!

Micron vừa công bố thông tin cập nhật cực kỳ ấn tượng về chương trình HBM4 và HBM4e của mình, hứa hẹn một cuộc cách mạng trong lĩnh vực bộ nhớ. HBM4 thế hệ tiếp theo, với giao diện 2048-bit, dự kiến sẽ được sản xuất hàng loạt vào năm 2026. Nhưng điểm nhấn thực sự nằm ở HBM4e!

Samsung dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung đã tiết lộ rằng họ dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025. Bộ nhớ mới sẽ có giao diện 2048-bit trên mỗi ngăn xếp, gấp đôi so với 1024-bit của HBM3.

Samsung Electronics công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung Electronics đã công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025, nhằm đa dạng hóa dịch vụ sản xuất để đáp ứng nhu cầu của ngành. Sang Joon Hwang, giám đốc nhóm sản phẩm và công nghệ DRAM tại Samsung Electronics, đã tiết lộ sự phát triển này trong một bài đăng trên blog tại phòng tin tức của Samsung, cho biết rằng công ty có kế hoạch nâng cao bộ phận nhớ của mình.

HBM4: Tăng gấp đôi băng thông với giao diện 2048 bit

Bộ nhớ băng thông cao (HBM) đã đi một chặng đường dài trong vòng chưa đầy 10 năm có mặt trên thị trường. Nó đã tăng đáng kể tốc độ truyền dữ liệu của mình, tăng dung lượng theo cấp số nhân và đạt được vô số tính năng. Có một thay đổi lớn khác sắp xảy ra và lần này sẽ rất lớn: các stack bộ nhớ HBM thế hệ tiếp theo sẽ có giao diện bộ nhớ 2048 bit, theo báo cáo của DigiTimes trích dẫn Seoul Economy.