Logo

Tìm kiếm: epitaxy

JBD phát triển MicroLED đỏ sáng 1 triệu nits, bước ngoặt cho công nghệ AR và micro-projector
JBD phát triển MicroLED đỏ sáng 1 triệu nits, bước ngoặt cho công nghệ AR và micro-projector

JBD, một công ty sản xuất MicroLED có trụ sở tại Trung Quốc, đã công bố rằng họ đã phát triển một MicroLED đỏ có thể cung cấp độ sáng hơn 1 triệu nits. Công ty cho biết thành tích của họ là kỷ lục và sẽ rất quan trọng đối với sự phát triển của AR toàn màu, kính thông minh và thiết bị chiếu micro.

Tác giả: Mai Ngọc Mai Ngọc
2368
Intel và TSMC sắp công bố tiến trình phát triển transistor CFET tại IEDM 2023
Intel và TSMC sắp công bố tiến trình phát triển transistor CFET tại IEDM 2023

Intel và TSMC dự kiến sẽ công bố tiến trình phát triển transistor CFET (vertically-stacked complementary field effect transistors) tại hội nghị International Electron Devices Meeting (IEDM) 2023 sắp tới, theo báo cáo của eeNewsEurope. CFET được thiết lập để kế thừa transistor GAA (gate-all-around), dự kiến sẽ ra mắt thị trường trong thập kỷ tới.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1938
Chọn trang

NewSLiver

[email protected]

Hình ảnh

© newsliver.com. All Rights Reserved.

Tìm kiếm: epitaxy

JBD phát triển MicroLED đỏ sáng 1 triệu nits, bước ngoặt cho công nghệ AR và micro-projector
JBD phát triển MicroLED đỏ sáng 1 triệu nits, bước ngoặt cho công nghệ AR và micro-projector

JBD, một công ty sản xuất MicroLED có trụ sở tại Trung Quốc, đã công bố rằng họ đã phát triển một MicroLED đỏ có thể cung cấp độ sáng hơn 1 triệu nits. Công ty cho biết thành tích của họ là kỷ lục và sẽ rất quan trọng đối với sự phát triển của AR toàn màu, kính thông minh và thiết bị chiếu micro.

Tác giả: Mai Ngọc Mai Ngọc
2368
Intel và TSMC sắp công bố tiến trình phát triển transistor CFET tại IEDM 2023
Intel và TSMC sắp công bố tiến trình phát triển transistor CFET tại IEDM 2023

Intel và TSMC dự kiến sẽ công bố tiến trình phát triển transistor CFET (vertically-stacked complementary field effect transistors) tại hội nghị International Electron Devices Meeting (IEDM) 2023 sắp tới, theo báo cáo của eeNewsEurope. CFET được thiết lập để kế thừa transistor GAA (gate-all-around), dự kiến sẽ ra mắt thị trường trong thập kỷ tới.

Tác giả: Huy Hoàng Huy Hoàng
1938
Chọn trang