Samsung giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên

Samsung vừa giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên trong ngành. IC bộ nhớ này sẽ cho phép công ty đơn giản hóa đáng kể việc sản xuất các mô-đun bộ nhớ dung lượng cao và xây dựng RDIMM 1 TB chưa từng có cho máy chủ.

Samsung cho biết sẽ sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024

Samsung Electronics cho biết họ sẽ bắt đầu sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024, theo một báo cáo của The Elec. Công nghệ này sẽ cho phép Samsung tăng mật độ lưu trữ lên 40% và giảm chi phí sản xuất xuống 20%.

Intel làm cho công nghệ 3nm dễ tiếp cận hơn với khách hàng của IFS

Intel đã công bố kế hoạch mở rộng công nghệ 3nm của mình cho các khách hàng của Intel Foundry Services (IFS). Điều này sẽ cho phép các công ty từ nhiều ngành khác nhau, bao gồm thiết bị di động, điện toán hiệu suất cao và ô tô, tiếp cận với công nghệ tiên tiến nhất của Intel.

Samsung giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên

Samsung vừa giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên trong ngành. IC bộ nhớ này sẽ cho phép công ty đơn giản hóa đáng kể việc sản xuất các mô-đun bộ nhớ dung lượng cao và xây dựng RDIMM 1 TB chưa từng có cho máy chủ.

Samsung cho biết sẽ sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024

Samsung Electronics cho biết họ sẽ bắt đầu sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024, theo một báo cáo của The Elec. Công nghệ này sẽ cho phép Samsung tăng mật độ lưu trữ lên 40% và giảm chi phí sản xuất xuống 20%.

Intel làm cho công nghệ 3nm dễ tiếp cận hơn với khách hàng của IFS

Intel đã công bố kế hoạch mở rộng công nghệ 3nm của mình cho các khách hàng của Intel Foundry Services (IFS). Điều này sẽ cho phép các công ty từ nhiều ngành khác nhau, bao gồm thiết bị di động, điện toán hiệu suất cao và ô tô, tiếp cận với công nghệ tiên tiến nhất của Intel.