Samsung Exynos 2500 có thể được ghép nối với GPU AMD dựa trên kiến trúc RDNA4 và RAM LPPDR5T

Samsung Exynos 2400 đã đạt được một số kết quả hiệu năng khá ấn tượng, nhưng nó vẫn tụt hậu so với các đối thủ cạnh tranh. Có vẻ như Samsung đang tập hợp một số lượng đáng kể tài nguyên cho Exynos 2500 và theo tin đồn mới nhất, chipset này sẽ được ghép nối với GPU AMD dựa trên kiến trúc RDNA4, cùng với RAM nhanh hơn và hiệu quả hơn.

Samsung giới thiệu công nghệ bộ nhớ thế hệ mới tại Memory Tech Day 2023

Samsung đã chính thức giới thiệu các công nghệ bộ nhớ thế hệ mới của mình bao gồm HBM3E, GDDR7, LPDDR5X CAMM2, và nhiều hơn nữa tại sự kiện Memory Tech Day 2023.

UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology

UltraRAM là một công nghệ bộ nhớ mới đang được phát triển bởi QuInAs Technology, một công ty được tách ra từ Khoa Vật lý của Đại học Lancaster (Anh). UltraRAM được thiết kế để kết hợp các ưu điểm của bộ nhớ flash (không biến động) và bộ nhớ DRAM (tốc độ cao).

HBM4: Tăng gấp đôi băng thông với giao diện 2048 bit

Bộ nhớ băng thông cao (HBM) đã đi một chặng đường dài trong vòng chưa đầy 10 năm có mặt trên thị trường. Nó đã tăng đáng kể tốc độ truyền dữ liệu của mình, tăng dung lượng theo cấp số nhân và đạt được vô số tính năng. Có một thay đổi lớn khác sắp xảy ra và lần này sẽ rất lớn: các stack bộ nhớ HBM thế hệ tiếp theo sẽ có giao diện bộ nhớ 2048 bit, theo báo cáo của DigiTimes trích dẫn Seoul Economy.

Samsung Exynos 2500 có thể được ghép nối với GPU AMD dựa trên kiến trúc RDNA4 và RAM LPPDR5T

Samsung Exynos 2400 đã đạt được một số kết quả hiệu năng khá ấn tượng, nhưng nó vẫn tụt hậu so với các đối thủ cạnh tranh. Có vẻ như Samsung đang tập hợp một số lượng đáng kể tài nguyên cho Exynos 2500 và theo tin đồn mới nhất, chipset này sẽ được ghép nối với GPU AMD dựa trên kiến trúc RDNA4, cùng với RAM nhanh hơn và hiệu quả hơn.

Samsung giới thiệu công nghệ bộ nhớ thế hệ mới tại Memory Tech Day 2023

Samsung đã chính thức giới thiệu các công nghệ bộ nhớ thế hệ mới của mình bao gồm HBM3E, GDDR7, LPDDR5X CAMM2, và nhiều hơn nữa tại sự kiện Memory Tech Day 2023.

UltraRAM - Công nghệ bộ nhớ mới đầy tiềm năng của QuInAs Technology

UltraRAM là một công nghệ bộ nhớ mới đang được phát triển bởi QuInAs Technology, một công ty được tách ra từ Khoa Vật lý của Đại học Lancaster (Anh). UltraRAM được thiết kế để kết hợp các ưu điểm của bộ nhớ flash (không biến động) và bộ nhớ DRAM (tốc độ cao).

HBM4: Tăng gấp đôi băng thông với giao diện 2048 bit

Bộ nhớ băng thông cao (HBM) đã đi một chặng đường dài trong vòng chưa đầy 10 năm có mặt trên thị trường. Nó đã tăng đáng kể tốc độ truyền dữ liệu của mình, tăng dung lượng theo cấp số nhân và đạt được vô số tính năng. Có một thay đổi lớn khác sắp xảy ra và lần này sẽ rất lớn: các stack bộ nhớ HBM thế hệ tiếp theo sẽ có giao diện bộ nhớ 2048 bit, theo báo cáo của DigiTimes trích dẫn Seoul Economy.