Lệnh trừng phạt Mỹ thúc đẩy Trung Quốc phát triển bộ nhớ HBM

Trung Quốc đang nỗ lực phát triển bộ nhớ có băng thông cao (giống HBM) cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu suất cao, theo báo cáo của South China Morning Post. ChangXin Memory Technologies (CXMT) được cho là đi đầu trong sáng kiến này.

HBM là bộ nhớ không thể phủ nhận về hiệu suất khi mỗi ngăn xếp HBM đều có giao diện bộ nhớ 1024 bit và tốc độ truyền dữ liệu decent. Do giao diện rộng và xếp chồng theo chiều dọc, việc sản xuất các thiết bị HBM không yêu cầu lithography tiên tiến nhất. Trên thực tế, người ta tin rằng các nhà lãnh đạo DRAM toàn cầu sử dụng các công nghệ đã được chứng minh qua thời gian cho các thiết bị bộ nhớ HBM2E và HBM3 của họ. Điều HBM yêu cầu là công nghệ đóng gói tinh vi — vì việc kết nối tám hoặc mười hai thiết bị nhớ theo chiều dọc bằng các vi TSV (via xuyên qua silicon) nhỏ là một thủ tục phức tạp. Tuy nhiên, việc lắp ráp một mô-đun KGSD (được biết là xếp chồng die) giống HBM dễ dàng hơn so với sản xuất một thiết bị DRAM trên công nghệ quy trình lớp 10nm.

Bất chấp những hạn chế về công nghệ do lệnh trừng phạt, các chuyên gia trong ngành được SCMP phỏng vấn cho rằng CXMT vẫn có thể sản xuất bộ nhớ HBM-like của riêng mình. Nhưng vẫn phải xem giao diện 'HBM' của Trung Quốc sẽ rộng bao nhiêu và nó có thể xếp chồng bao nhiêu thiết bị DRAM trên mỗi mô-đun.

CXMT là nhà sản xuất DRAM nội địa hàng đầu của Trung Quốc, cả về năng lực công nghệ và năng lực sản xuất, vì vậy nó là cơ hội tốt nhất của Trung Quốc để phát triển loại bộ nhớ độc quyền được thiết kế để cạnh tranh với HBM tiêu chuẩn công nghiệp về băng thông và dung lượng. Do lệnh trừng phạt của Hoa Kỳ, CXMT và các nhà sản xuất chip Trung Quốc khác bị hạn chế sử dụng các công nghệ ít tiên tiến hơn để sản xuất, khiến họ bị cạnh tranh bất lợi trên toàn cầu.

Bộ xử lý AI và GPC là cần thiết cho nhiều ứng dụng, bao gồm xe tự lái, trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu suất cao, vì vậy có thể hiểu tại sao Trung Quốc muốn xây dựng bộ nhớ HBM-like của riêng mình. Hiện tại, các công ty như Biren có thể mua bộ nhớ HBM2E từ các nhà cung cấp DRAM hàng đầu, nhưng nếu chính phủ Hoa Kỳ hạn chế quyền truy cập vào loại bộ nhớ này, Trung Quốc sẽ chỉ có thể dựa vào công nghệ của riêng mình. Do đó, việc phát triển bộ nhớ HBM-like là một phần trong chương trình nghị sự quốc gia lớn hơn nhằm tự chủ về công nghệ bán dẫn.