Ryzen 7 9800X3D: Bí mật công nghệ 3D V-Cache – 93% là silicon "dùng làm khung"?

AMD Ryzen 7 9800X3D đã nhanh chóng trở thành CPU gaming mạnh nhất thế giới. Để tìm hiểu bí mật đằng sau thành công này, chuyên gia phân tích bán dẫn Tom Wassick (từ Hardwareluxx) đã tiến hành tháo rời con chip. Kết quả ban đầu gây bất ngờ: Hơn 93% độ dày của chip là silicon "nhồi nhét" để đảm bảo cấu trúc!

TSMC N2: Cuộc Cách Mạng 2nm - Tốc Độ Khủng, Tiết Kiệm Năng Lượng Ngoạn Mục!

TSMC vừa công bố chi tiết về quy trình sản xuất N2 (2nm) đột phá tại hội nghị IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)! Công nghệ này hứa hẹn giảm tiêu thụ điện năng từ 24% đến 35% hoặc tăng hiệu năng 15% ở cùng điện áp, cùng với mật độ bóng bán dẫn cao hơn 115% so với thế hệ 3nm trước đó.

Intel Bứt Phá Công Nghệ Transistor, Mở Đường Cho Chip Tương Lai

Intel vừa công bố loạt đột phá công nghệ transistor 2D sử dụng vật liệu vượt trội silicon, kết nối chip và công nghệ đóng gói. Những thành tựu này sẽ được trình bày tại hội nghị IEDM 2024 thông qua 7 bài báo của Intel và 2 bài báo hợp tác với các đối tác ngành như IMEC.

SK hynix Phát Triển Bộ Nhớ DRAM Mới Với Tốc Độ Cao Và Chi Phí Thấp

SK hynix, một trong những nhà sản xuất chip nhớ lớn nhất thế giới, đang phát triển một loại bộ nhớ DRAM mới kết hợp giữa băng thông rộng và chi phí thấp hơn so với các giải pháp HBM hiện tại. Loại bộ nhớ mới này sẽ sử dụng công nghệ đóng gói 2.5D fan-out và có thể được sử dụng cho các ứng dụng đồ họa hoặc di động.

Samsung dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung đã tiết lộ rằng họ dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025. Bộ nhớ mới sẽ có giao diện 2048-bit trên mỗi ngăn xếp, gấp đôi so với 1024-bit của HBM3.

HBM4: Tăng gấp đôi băng thông với giao diện 2048 bit

Bộ nhớ băng thông cao (HBM) đã đi một chặng đường dài trong vòng chưa đầy 10 năm có mặt trên thị trường. Nó đã tăng đáng kể tốc độ truyền dữ liệu của mình, tăng dung lượng theo cấp số nhân và đạt được vô số tính năng. Có một thay đổi lớn khác sắp xảy ra và lần này sẽ rất lớn: các stack bộ nhớ HBM thế hệ tiếp theo sẽ có giao diện bộ nhớ 2048 bit, theo báo cáo của DigiTimes trích dẫn Seoul Economy.

DRAM 3D: Giải pháp cho vấn đề quy mô DRAM

Nếu có một sản phẩm công nghệ mà việc thu nhỏ không hoạt động tốt, thì đó là DRAM. Có một số lý do cho điều này, quan trọng nhất là thiết kế thực tế của các tế bào DRAM và cách nó liên quan đến quá trình sản xuất. Nhưng theo Lam Research, kết quả cuối cùng của những khó khăn về quy mô này có nghĩa là các nhà nghiên cứu trong lĩnh vực DRAM có thể hết cách để tăng mật độ quy mô của DRAM sớm nhất là sau năm năm nữa.

Lệnh trừng phạt Mỹ thúc đẩy Trung Quốc phát triển bộ nhớ HBM

Trung Quốc đang nỗ lực phát triển bộ nhớ có băng thông cao (giống HBM) cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu suất cao, theo báo cáo của South China Morning Post. ChangXin Memory Technologies (CXMT) được cho là đi đầu trong sáng kiến này.

Ryzen 7 9800X3D: Bí mật công nghệ 3D V-Cache – 93% là silicon "dùng làm khung"?

AMD Ryzen 7 9800X3D đã nhanh chóng trở thành CPU gaming mạnh nhất thế giới. Để tìm hiểu bí mật đằng sau thành công này, chuyên gia phân tích bán dẫn Tom Wassick (từ Hardwareluxx) đã tiến hành tháo rời con chip. Kết quả ban đầu gây bất ngờ: Hơn 93% độ dày của chip là silicon "nhồi nhét" để đảm bảo cấu trúc!

TSMC N2: Cuộc Cách Mạng 2nm - Tốc Độ Khủng, Tiết Kiệm Năng Lượng Ngoạn Mục!

TSMC vừa công bố chi tiết về quy trình sản xuất N2 (2nm) đột phá tại hội nghị IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)! Công nghệ này hứa hẹn giảm tiêu thụ điện năng từ 24% đến 35% hoặc tăng hiệu năng 15% ở cùng điện áp, cùng với mật độ bóng bán dẫn cao hơn 115% so với thế hệ 3nm trước đó.

Intel Bứt Phá Công Nghệ Transistor, Mở Đường Cho Chip Tương Lai

Intel vừa công bố loạt đột phá công nghệ transistor 2D sử dụng vật liệu vượt trội silicon, kết nối chip và công nghệ đóng gói. Những thành tựu này sẽ được trình bày tại hội nghị IEDM 2024 thông qua 7 bài báo của Intel và 2 bài báo hợp tác với các đối tác ngành như IMEC.

SK hynix Phát Triển Bộ Nhớ DRAM Mới Với Tốc Độ Cao Và Chi Phí Thấp

SK hynix, một trong những nhà sản xuất chip nhớ lớn nhất thế giới, đang phát triển một loại bộ nhớ DRAM mới kết hợp giữa băng thông rộng và chi phí thấp hơn so với các giải pháp HBM hiện tại. Loại bộ nhớ mới này sẽ sử dụng công nghệ đóng gói 2.5D fan-out và có thể được sử dụng cho các ứng dụng đồ họa hoặc di động.

Samsung dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025

Samsung đã tiết lộ rằng họ dự kiến ra mắt bộ nhớ HBM4 vào năm 2025. Bộ nhớ mới sẽ có giao diện 2048-bit trên mỗi ngăn xếp, gấp đôi so với 1024-bit của HBM3.

HBM4: Tăng gấp đôi băng thông với giao diện 2048 bit

Bộ nhớ băng thông cao (HBM) đã đi một chặng đường dài trong vòng chưa đầy 10 năm có mặt trên thị trường. Nó đã tăng đáng kể tốc độ truyền dữ liệu của mình, tăng dung lượng theo cấp số nhân và đạt được vô số tính năng. Có một thay đổi lớn khác sắp xảy ra và lần này sẽ rất lớn: các stack bộ nhớ HBM thế hệ tiếp theo sẽ có giao diện bộ nhớ 2048 bit, theo báo cáo của DigiTimes trích dẫn Seoul Economy.

DRAM 3D: Giải pháp cho vấn đề quy mô DRAM

Nếu có một sản phẩm công nghệ mà việc thu nhỏ không hoạt động tốt, thì đó là DRAM. Có một số lý do cho điều này, quan trọng nhất là thiết kế thực tế của các tế bào DRAM và cách nó liên quan đến quá trình sản xuất. Nhưng theo Lam Research, kết quả cuối cùng của những khó khăn về quy mô này có nghĩa là các nhà nghiên cứu trong lĩnh vực DRAM có thể hết cách để tăng mật độ quy mô của DRAM sớm nhất là sau năm năm nữa.

Lệnh trừng phạt Mỹ thúc đẩy Trung Quốc phát triển bộ nhớ HBM

Trung Quốc đang nỗ lực phát triển bộ nhớ có băng thông cao (giống HBM) cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo và điện toán hiệu suất cao, theo báo cáo của South China Morning Post. ChangXin Memory Technologies (CXMT) được cho là đi đầu trong sáng kiến này.