TSMC thừa nhận thiếu hụt chip GPU do hạn chế về năng lực đóng gói chip-on-wafer-on-substrate (CoWoS)

Chủ tịch TSMC thừa nhận rằng nguồn cung chip GPU tính toán cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo (AI) và điện toán hiệu suất cao (HPC) hiện đang thiếu do hạn chế về năng lực đóng gói chip-on-wafer-on-substrate (CoWoS). Tình trạng thiếu hụt này dự kiến ​​sẽ tiếp tục trong khoảng 18 tháng do nhu cầu ngày càng tăng đối với các ứng dụng AI tổng hợp và tốc độ mở rộng năng lực CoWoS của TSMC tương đối chậm.

ASML sẽ giao máy móc lithography EUV High-NA đầu tiên trong năm nay

ASML sẽ sớm giao máy móc lithography cực tím (EUV) đầu tiên trong ngành với khẩu độ số (NA) 0,55 trong năm nay, Giám đốc điều hành của công ty cho biết tuần này. Máy Twinscan EXE:5000 của ASML sẽ chủ yếu được sử dụng cho mục đích phát triển và giúp khách hàng của công ty làm quen với công nghệ mới cũng như khả năng của nó. Việc sử dụng thương mại các công cụ High-NA dự kiến ​​sẽ bắt đầu từ năm 2025 trở đi.

Huawei Kirin 9000S, con chip được cho là sử dụng quy trình 5nm của SMIC

Theo TechInsights, một công ty nghiên cứu bán dẫn hàng đầu, SoC Kirin 9000S của Huawei được cho là được sản xuất bởi SMIC của Trung Quốc sử dụng quy trình sản xuất 7nm thế hệ thứ 2 và công nghệ stacking, theo một báo cáo của South China Morning Post. Ngoài ra, SoC này được cho là có CPU và GPU với microarchitecture được phát triển nội bộ. Trong khi đó, tất cả thông tin về Kirin 9000S đều là không chính thức.

Samsung giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên

Samsung vừa giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên trong ngành. IC bộ nhớ này sẽ cho phép công ty đơn giản hóa đáng kể việc sản xuất các mô-đun bộ nhớ dung lượng cao và xây dựng RDIMM 1 TB chưa từng có cho máy chủ.

Samsung cho biết sẽ sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024

Samsung Electronics cho biết họ sẽ bắt đầu sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024, theo một báo cáo của The Elec. Công nghệ này sẽ cho phép Samsung tăng mật độ lưu trữ lên 40% và giảm chi phí sản xuất xuống 20%.

Intel làm cho công nghệ 3nm dễ tiếp cận hơn với khách hàng của IFS

Intel đã công bố kế hoạch mở rộng công nghệ 3nm của mình cho các khách hàng của Intel Foundry Services (IFS). Điều này sẽ cho phép các công ty từ nhiều ngành khác nhau, bao gồm thiết bị di động, điện toán hiệu suất cao và ô tô, tiếp cận với công nghệ tiên tiến nhất của Intel.

TSMC thừa nhận thiếu hụt chip GPU do hạn chế về năng lực đóng gói chip-on-wafer-on-substrate (CoWoS)

Chủ tịch TSMC thừa nhận rằng nguồn cung chip GPU tính toán cho các ứng dụng trí tuệ nhân tạo (AI) và điện toán hiệu suất cao (HPC) hiện đang thiếu do hạn chế về năng lực đóng gói chip-on-wafer-on-substrate (CoWoS). Tình trạng thiếu hụt này dự kiến ​​sẽ tiếp tục trong khoảng 18 tháng do nhu cầu ngày càng tăng đối với các ứng dụng AI tổng hợp và tốc độ mở rộng năng lực CoWoS của TSMC tương đối chậm.

ASML sẽ giao máy móc lithography EUV High-NA đầu tiên trong năm nay

ASML sẽ sớm giao máy móc lithography cực tím (EUV) đầu tiên trong ngành với khẩu độ số (NA) 0,55 trong năm nay, Giám đốc điều hành của công ty cho biết tuần này. Máy Twinscan EXE:5000 của ASML sẽ chủ yếu được sử dụng cho mục đích phát triển và giúp khách hàng của công ty làm quen với công nghệ mới cũng như khả năng của nó. Việc sử dụng thương mại các công cụ High-NA dự kiến ​​sẽ bắt đầu từ năm 2025 trở đi.

Huawei Kirin 9000S, con chip được cho là sử dụng quy trình 5nm của SMIC

Theo TechInsights, một công ty nghiên cứu bán dẫn hàng đầu, SoC Kirin 9000S của Huawei được cho là được sản xuất bởi SMIC của Trung Quốc sử dụng quy trình sản xuất 7nm thế hệ thứ 2 và công nghệ stacking, theo một báo cáo của South China Morning Post. Ngoài ra, SoC này được cho là có CPU và GPU với microarchitecture được phát triển nội bộ. Trong khi đó, tất cả thông tin về Kirin 9000S đều là không chính thức.

Samsung giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên

Samsung vừa giới thiệu chip DDR5 SDRAM 32 Gb nguyên khối đầu tiên trong ngành. IC bộ nhớ này sẽ cho phép công ty đơn giản hóa đáng kể việc sản xuất các mô-đun bộ nhớ dung lượng cao và xây dựng RDIMM 1 TB chưa từng có cho máy chủ.

Samsung cho biết sẽ sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024

Samsung Electronics cho biết họ sẽ bắt đầu sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024, theo một báo cáo của The Elec. Công nghệ này sẽ cho phép Samsung tăng mật độ lưu trữ lên 40% và giảm chi phí sản xuất xuống 20%.

Intel làm cho công nghệ 3nm dễ tiếp cận hơn với khách hàng của IFS

Intel đã công bố kế hoạch mở rộng công nghệ 3nm của mình cho các khách hàng của Intel Foundry Services (IFS). Điều này sẽ cho phép các công ty từ nhiều ngành khác nhau, bao gồm thiết bị di động, điện toán hiệu suất cao và ô tô, tiếp cận với công nghệ tiên tiến nhất của Intel.